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電子デバイス工学(電気電子工学シリーズ〈5〉) [全集叢書]

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販売価格：: ￥1790.00税込
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商品の詳細

1.　半導体の特徴とエネルギーバンド構造
　1.1　半導体の特徴
　1.2　エネルギーバンド構造
　1.3　エネルギーバンド構造の見方と物性

2.　半導体のキャリヤと電気伝導
　2.1　真性半導体と外因性半導体
　2.2　半導体のフェルミ準位とキャリヤ密度　
　2.3　半導体中の電気伝導

3.　芒躇接合ダイオードとショットキー障壁ダイオード
　3.1　pn接合の物理
　3.2　pn接合の整流性　
　3.3　pn接合の静電容量　
　3.4　pn接合の逆電圧降伏
　3.5　ショットキー接触と整流性

4.　バイポーラトランジスタ
　4.1　基本構造と動作原理　
　4.2　ベース接地回路の電流増幅率　
　4.3　各種接地回路の電流増幅率　

5.　MOS型電界効果トランジスタ
　5.1　MOS構造と基本特性　
　5.2　MOS型電界効果トランジスタの基本特性　
　5.3　MOS型電界効果トランジスタの微細化と課題　

6.　大規模集積回路
　6.1　大規模集積回路の分類　
　6.2　大規模集積回路の基本回路　

参考図書
演習問題解答
索引

内容紹介

集積回路の中心となるトランジスタの動作原理に焦点をあてて，やさしく，ていねいに解説した。〔内容〕半導体の特徴とエネルギーバンド構造／半導体のキャリヤと電気伝導／バイポーラトランジスタ／MOS型電界効果トランジスタ／他

著者紹介（「BOOK著者紹介情報」より）（本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです）

宮尾正信(ミヤオマサノブ)
１９４７年大阪府に生まれる。１９７４年大阪大学大学院基礎工学研究科博士課程修了。日立製作所中央研究所勤務、電子デバイス研究部長等を歴任。この間、オランダ国立ＦＯＭ原子分子研究所客員研究員（１９８４年）。１９９９年九州大学大学院システム情報科学研究院教授（工学博士）

佐道泰造(サドウタイゾウ)
１９６７年東京都に生まれる。１９９５年九州大学大学院工学研究科博士課程修了。１９９６年九州大学大学院システム情報科学研究科助教授。２００７年九州大学大学院システム情報科学研究院准教授（博士）